対象デバイス |
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V850E2/MN4 |
使用するRTE-TPの形式 |
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RTE-2000H-TP + PB-NEXUS-N38 |
エミュレーション機能 |
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動作周波数 |
100KHz 〜*1 |
インターフェース |
Nexus仕様 |
動作電圧 |
3.3V |
JTAG CLK |
10KHz - 25MHz |
イベント機能 |
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イベント数 |
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実行アドレスの設定 |
8 |
データアクセスの設定 |
6 |
DMAサイクルの設定 |
6 |
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範囲指定可
範囲指定可
R,W,R/W |
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4
12bit |
ブレーク機能 |
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H/Wブレークポイント |
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アクセス系ブレークポイント*5 |
4 |
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アドレス指定
データ指定
ステータス指定 |
Mask指定可
Mask指定可
R,W,R/W |
S/Wブレークポイント |
100*2 |
イベントによるブレーク設定 |
可 |
ステップブレーク |
可 |
マニュアルブレーク |
可 |
外部信号によるブレーク
(High/Low edge)*6 |
可 |
トレース機能 |
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トレースデータバス |
8bit |
トレースデータ有効メモリ |
1M-word |
トリガ設定 |
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実行アドレスによるトリガ設定*5 |
可 |
データアクセスによるトリガ設定*5 |
可 |
イベントによるトリガ設定 |
可 |
外部入力によるトリガ設定 |
可 |
開始、停止指定(サブスイッチ)*5 |
可 |
トレースディレイ |
0 - FFFFF |
トレースクロック |
DDR-133MHz(max) |
タイムタグ |
100nS - 30h |
逆アセンブルトレース表示機能 |
有 |
完全トレースモード指定機能
(no real time) |
有 |
外部ROMエミュレーション機能*7 |
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ブロック内マップ機能(USER/EMEM) |
64K-word |
RAMとして使用 |
可 |
メモリ容量 |
8M - 128MByte |
アクセスタイム ( )内はバーストサイクル時 |
35nS(30nS)*3 |
動作電圧 |
1.8V - 5.0V*4 |
電気的条件 |
LV-TTL,5Vトレラント*3 |
エミュレーション可能なROM数 |
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DIP-32pin-ROM(8bit-ROM) |
4(max) |
DIP-40/42pin-ROM(16bit-ROM) |
4(max) |
拡張16bit-標準ROMコネクタ |
4(max) |
エミュレーション可能なROM容量(bit) |
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DIP-32pin-ROM(8bit-bus) |
1M,2M,4M,8M(27C010/020/040/080) |
DIP-40pin-ROM(16bit-bus) |
1M,2M,4M(27C1024/2048/4096) |
DIP-42pin-ROM(16bit-bus) |
8M,16M(27C8000/16000) |
拡張16bit-標準ROM(16bit-bus) |
1M,2M,4M,8M,16M,32M,64M,128M,256M(32MByte) |
バス幅指定(bit) |
8/16/32 |
端子マスク機能 |
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STOP,WAIT-,HLDRQ,RESET- |
実行時間計測機能 ( )内はJTAGCLK=25MHz時の値 |
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分解能(nS) |
t = JTAGCLK周期の2倍(80nSec) |
最大計測時間(nS) |
t * 231(約171Sec) |